中国香港解键合键合机

时间:2020年02月20日 来源:

键合机特征

高真空,对准,共价键合

在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电键合

室温过程

多种材料组合,包括金属(铝)

无应力键合界面

高键合强度

用于HVM和R&D的模块化系统


多达六个模块的灵活配置

基板尺寸**/大为200毫米

完全自动化


技术数据

真空度

处理:<7E-8 mbar

处理:<5E-8毫巴

集群配置

处理模块:**小 3个,**/大 6个

加载:手动,卡带,EFEM

可选的过程模块:

键合模块

ComBond ®激/活模块(CAM)

烘烤模块

真空对准模块(VAM)

晶圆直径


高达200毫米


对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。中国香港解键合键合机

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EVG ® 510晶圆键合机系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容

特色

技术数据

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。 河南HVM键合机EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。

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EVG 晶圆键合机上的键合过程

支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。

键合机软件支持

基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分布于全球的支持结构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和

北美 (美国).

EVG键合机加工结果

除支持晶圆级和先进封装,3D互连和MEMS制造外,EVG500系列晶圆键合机(系统)还可用于研发,中试或批量生产。它们通过在高真空,精确控制的精/准的真空,温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计,可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。

模块设计

各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接(实时)或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

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EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850

SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。 EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。山西EV Group键合机

业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。中国香港解键合键合机

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